Fonte: Journal of Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LOPES, M C V e HASENACK, Claus Martin. Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society, v. 139, n. 10, p. 2909-12, 1992Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.APA
Lopes, M. C. V., & Hasenack, C. M. (1992). Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society, 139( 10), 2909-12.NLM
Lopes MCV, Hasenack CM. Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society. 1992 ;139( 10): 2909-12.[citado 2024 maio 03 ]Vancouver
Lopes MCV, Hasenack CM. Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society. 1992 ;139( 10): 2909-12.[citado 2024 maio 03 ]
